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碳化硅聚焦环陶瓷材料
更新时间:2023-03-11 14:50:50  |  来源:  |  点击次数:1569次

      随着半导体技术的发展,等离子体刻蚀逐渐成为半导体制造工艺广泛应用的技术。等离子体刻蚀产生的等离子体具有很强的腐蚀性,在刻蚀晶圆的过程中也会对工艺腔腔体和腔体内部件造成严重腐蚀,所以半导体加工设备中与等离子体接触的部件需要有较好的耐等离子体刻蚀性能。

      相对于有机和金属材料,陶瓷材料一般都具有较好的耐物理和化学腐蚀性能以及很高的工作温度,因而在半导体工业中,多种陶瓷材料已成为半导体单晶硅片制造工序和前道加工工序的设备核心部件制造材料,如SiC,AlN,Al2O3和Y2O3等。在等离子环境中陶瓷材料的选择取决于核心部件所处的工作环境以及对制程产品的品质要求,如耐等离子刻蚀性能,电性能,绝缘性等。等离子刻蚀设备应用陶瓷材料的部件主要有视窗镜、静电卡盘、聚焦环等。

      其中,聚焦环的主要目的是提供均匀的等离子体,用于确保刻蚀的一致性和准确性。同时,它还需要具备与硅晶圆相近的电导率。导电硅作为一种常用的聚焦环材料,它与♒硅晶圆的电导率几乎接近,但不足是在含氟等离子体中耐刻蚀性差,刻蚀机部件材料常常使用一段时间后就会出现严重🐲腐蚀的现象,严重降低其生产效率。
除了与硅具有相似的电导率以外,还具有良好的耐离子刻蚀性能,相对于导电硅,它更适合用作聚焦环材料。

      SiC因其优🅺异的性能被广泛用于半导体加工设备部件,例如
具有优异的耐高温特性,广泛应用于各种沉积设备的核心部件材料。碳化硅具有优异的导热率以及与Si片较匹配的电导率被用作聚焦环材料,而且SiC具有更加优异的耐等离子刻蚀性能,是极好的备选材料。

      有研究人员研究了
在碳氟等铝铁铝铁离子中的刻蚀差向异构,其得出结论取决于氧化硅经碳氟等铝铁铝铁离子刻蚀后,外面时有突发一系类化学工业反應型成超薄1层碳氟汇聚物膜,该膜可防止催化活性氟基等铝铁铝铁离子体进第一步与基体时有突发反應,以求相对性于Si,其耐等铝铁铝铁离子刻蚀功能非常比较好。

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